专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]在硅片上制备选择性掺杂结构的制备方法及太阳能电池片-CN201910604535.2有效
  • 吴兰峰;蒋秀林;张俊兵 - 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司
  • 2019-07-05 - 2021-10-22 - H01L21/225
  • 本发明涉及在硅片上制备选择性掺杂结构的制备方法及太阳能电池片,选择性掺杂结构包括轻掺杂区和重掺杂区,制备方法包括以下步骤:在硅片的受光侧或背光侧由内至外依次设置第一杂质源层、阻挡层和第二杂质源层,第二杂质源层中的杂质源与第一杂质源层中的杂质源相对于硅片的掺杂属性相同,且第二杂质源层中的杂质源的浓度更高;通过高温推进方式使得第一杂质源层中的杂质源掺杂进硅片中并在硅片表面形成面状的轻掺杂区;通过激光推进方式在指定区域内使得第一杂质源层和第二杂质源层中的杂质源向硅片内推进本发明实施例的制备方法使制备所得的轻掺杂区的表面掺杂浓度更低,重掺杂区的表面掺杂浓度更高,且该制备方法清洁无污染。
  • 硅片制备选择性掺杂结构方法太阳能电池

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